FDMS2510SDC

FDMS2510SDC Fairchild Semiconductor


FAIRS45111-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 14256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS2510SDC Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 13 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 23A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDMS2510SDC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS2510SDC FDMS2510SDC Виробник : ON Semiconductor / Fairchild fairchild%20semiconductor_fdms2510sdc-1191180.pdf MOSFET 20V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.