FDMS2572 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 76.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS2572 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.036 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMS2572 за ціною від 67.44 грн до 203.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS2572 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.036 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS2572 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs LOW VOLTAGE |
на замовлення 7198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/27A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 75 V |
на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS2572 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.036 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS2572 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.5A 8-Pin Power 56 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMS2572 | Виробник : ONSEMI |
FDMS2572 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A/27A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |