FDMS2734 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 366.54 грн |
| 10+ | 296.82 грн |
| 100+ | 240.11 грн |
| 500+ | 200.29 грн |
| 1000+ | 171.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS2734 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 2.5 A, 0.122 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS2734 за ціною від 176.36 грн до 430.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS2734 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 250V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET |
на замовлення 8922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS2734 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 2.5 A, 0.122 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS2734 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDMS2734 | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMS2734 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS2734 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS2734 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS2734 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 14A; Idm: 30A; 78W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 14A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 78W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 258mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS2734 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 14A; Idm: 30A; 78W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 14A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 78W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 258mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |