Продукція > ONSEMI > FDMS2D5N08C
FDMS2D5N08C

FDMS2D5N08C onsemi

fdms2d5n08c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.28 грн
10+165.66 грн
100+120.93 грн
500+98.23 грн
1000+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS2D5N08C onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 138W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA, Supplier Device Package: Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS2D5N08C за ціною від 97.61 грн до 262.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS2D5N08C FDMS2D5N08C Виробник : onsemi / Fairchild fdms2d5n08c-d.pdf MOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.01 грн
10+178.08 грн
100+113.02 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08C FDMS2D5N08C Виробник : ON Semiconductor 1854654425150171fdms2d5n08c.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08C Виробник : ONSEMI fdms2d5n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08C FDMS2D5N08C Виробник : onsemi fdms2d5n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2D5N08C Виробник : ONSEMI fdms2d5n08c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 823A
Power dissipation: 138W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.