Продукція > ONSEMI > FDMS3572
FDMS3572

FDMS3572 ONSEMI

2304725.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.84 грн
10+150.28 грн
100+116.79 грн
500+90.10 грн
1000+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3572 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS3572 за ціною від 84.20 грн до 262.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3572 FDMS3572 Виробник : onsemi fdms3572-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.42 грн
10+155.81 грн
100+108.58 грн
500+88.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 Виробник : onsemi / Fairchild fdms3572-d.pdf MOSFETs 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.56 грн
10+159.34 грн
100+107.93 грн
250+107.17 грн
500+87.27 грн
1000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 Виробник : ON Semiconductor fdms3572cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 Виробник : ON Semiconductor fdms3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 Виробник : ON Semiconductor fdms3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 Виробник : onsemi fdms3572-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 Виробник : ONSEMI fdms3572-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Power dissipation: 78W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.