FDMS3600AS Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 15129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 275+ | 74.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3600AS Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMS3600AS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS3600AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDMS3600AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/30A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDMS3600AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W, 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 |
товар відсутній |