FDMS3600AS

FDMS3600AS onsemi / Fairchild


FDMS3600AS_D-2312427.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3600AS onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

Інші пропозиції FDMS3600AS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3600AS FDMS3600AS Виробник : ON Semiconductor 3666293003269019fdms3600as.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/30A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3600AS FDMS3600AS Виробник : onsemi fdms3600as-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.