FDMS3602AS ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 67.62 грн |
| 250+ | 67.56 грн |
| 500+ | 67.50 грн |
| 1000+ | 65.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3602AS ON Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Power - Max: 2.2W, 2.5W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical.
Інші пропозиції FDMS3602AS за ціною від 73.51 грн до 73.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS3602AS | Fairchild Semiconductor |
 Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIMounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 2.2W, 2.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
на замовлення 14975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
FDMS3602AS | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS3602AS |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 73.51 грн |
| FDMS3602AS |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)