Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3602AS
FDMS3602AS

FDMS3602AS ON Semiconductor

fdms3602as-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3602AS ON Semiconductor

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMS3602AS за ціною від 46.30 грн до 74.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3602AS FDMS3602AS Виробник : ON Semiconductor fdms3602as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.29 грн
25+54.24 грн
50+52.26 грн
100+48.35 грн
250+46.38 грн
500+46.34 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602AS FDMS3602AS Виробник : ON Semiconductor fdms3602as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602AS FDMS3602AS Виробник : ON Semiconductor fdms3602as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
209+58.32 грн
250+58.27 грн
500+58.22 грн
1000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 209
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602AS FDMS3602AS Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002363564-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
318+74.63 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3602AS FDMS3602AS Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS3602AS-D-1808026.pdf MOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.