Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDMS3604AS

FDMS3604AS Fairchild Semiconductor

Name: FDMS3604AS
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 13161614-3
Price: 22353.70 UAH
Availability: InStock

FAIR-S-A0002363563-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
230+	97.19 грн

Мінімальне замовлення: 230

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMS3604AS Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate.

Інші пропозиції FDMS3604AS

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDMS3604AS	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET	на замовлення 766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDMS3604AS	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDMS3604AS	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56 Supplier Device Package: Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.