FDMS3604S onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.62 грн |
| 10+ | 80.23 грн |
| 100+ | 56.58 грн |
| 500+ | 43.21 грн |
| 1000+ | 39.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3604S onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.
Інші пропозиції FDMS3604S за ціною від 37.18 грн до 157.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS3604S | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PowerTrench Power Stage |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS3604S Код товару: 205110
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FDMS3604S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDMS3604S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDMS3604S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS3604S | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/40A Pulsed drain current: 40...100A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 10.8/4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Semiconductor structure: asymmetric |
товару немає в наявності |
