FDMS3606AS ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3606AS ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDMS3606AS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS3606AS | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDMS3606AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDMS3606AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 |
товару немає в наявності |