Технічний опис FDMS3606AS ON Semiconductor / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDMS3606AS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FDMS3606AS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS3606AS |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



