Продукція > ONSEMI > FDMS3626S
FDMS3626S

FDMS3626S onsemi

fdms3626s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.61 грн
10+97.40 грн
100+69.15 грн
500+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3626S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A POWER56, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

Інші пропозиції FDMS3626S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3626S FDMS3626S Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS3626S-1305703.pdf MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3626S Виробник : ON Semiconductor fdms3626s-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.