Продукція > ON SEMICONDUCTOR / FAIRCHILD > FDMS3660S_F121

FDMS3660S_F121 ON Semiconductor / Fairchild

Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET PowerTrench PowerStage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET

на замовлення 3842 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMS3660S_F121 ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

Інші пропозиції FDMS3660S_F121

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	FDMS3660S-F121	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	FDMS3660S-F121	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.