Продукція > ONSEMI > FDMS3662
FDMS3662

FDMS3662 onsemi

fdms3662-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3662 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc).

Інші пропозиції FDMS3662 за ціною від 95.68 грн до 258.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS3662 FDMS3662 onsemi fdms3662-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.04 грн
10+163.34 грн
100+114.54 грн
500+95.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 FDMS3662 onsemi / Fairchild FDMS3662-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 Fairchild fdms3662-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 fdms3662-d.pdf
FDMS3662
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.04 грн
10+163.34 грн
100+114.54 грн
500+95.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 FDMS3662-D.pdf
FDMS3662
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 fdms3662-d.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.