Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3662
FDMS3662

FDMS3662 ON Semiconductor

fdms3662-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3662 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS3662 за ціною від 88.35 грн до 221.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3662 FDMS3662 Виробник : onsemi fdms3662-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 FDMS3662 Виробник : onsemi fdms3662-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.80 грн
10+149.00 грн
100+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 FDMS3662 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3662-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.26 грн
10+156.79 грн
100+95.97 грн
1000+92.92 грн
3000+88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 Виробник : Fairchild fdms3662-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 FDMS3662 Виробник : ON Semiconductor 3674617116739234fdms3662.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 FDMS3662 Виробник : ON Semiconductor fdms3662-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 FDMS3662 Виробник : ON Semiconductor fdms3662-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3662 Виробник : ONSEMI fdms3662-d.pdf FDMS3662 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.