FDMS3664S onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 38.99 грн |
| 6000+ | 36.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3664S onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A.
Інші пропозиції FDMS3664S за ціною від 42.39 грн до 95.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS3664S | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS3664S | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Supplier Device Package: Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Part Status: Active |
на замовлення 146472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS3664S | onsemi |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMS3664S | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 55.90 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 56.22 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 89.29 грн |
| 10+ | 68.82 грн |
| 25+ | 61.35 грн |
| 100+ | 52.23 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 393+ | 90.05 грн |
| 500+ | 81.04 грн |
| 1000+ | 74.73 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 393+ | 90.05 грн |
| 500+ | 81.04 грн |
| 1000+ | 74.73 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.31 грн |
| 10+ | 68.95 грн |
| 100+ | 55.88 грн |
| 500+ | 44.38 грн |
| 1000+ | 42.39 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




