FDMS3664S onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.81 грн |
| 6000+ | 37.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3664S onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A.
Інші пропозиції FDMS3664S за ціною від 35.37 грн до 118.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS3664S | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS3664S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Supplier Device Package: Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Part Status: Active |
на замовлення 146472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS3664S | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS3664S | Виробник : onsemi |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|


