FDMS3664S onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 39.93 грн |
| 6000+ | 37.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS3664S onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMS3664S за ціною від 37.84 грн до 170.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS3664S | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 30/60A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±12V On-state resistance: 11/4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29/52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS3664S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS3664S | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active |
на замовлення 146472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS3664S | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 14108 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS3664S | onsemi |
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 13890 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 57.90 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 58.22 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 91.43 грн |
| 10+ | 70.47 грн |
| 25+ | 62.83 грн |
| 100+ | 53.49 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 393+ | 93.26 грн |
| 500+ | 83.93 грн |
| 1000+ | 77.40 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 393+ | 93.26 грн |
| 500+ | 83.93 грн |
| 1000+ | 77.40 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.60 грн |
| 10+ | 70.60 грн |
| 100+ | 57.22 грн |
| 500+ | 45.45 грн |
| 1000+ | 43.41 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.33 грн |
| 10+ | 78.91 грн |
| 100+ | 55.15 грн |
| 500+ | 46.65 грн |
| 1000+ | 40.78 грн |
| 3000+ | 37.84 грн |




