FDMS3664S

FDMS3664S onsemi


fdms3664s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.36 грн
6000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3664S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMS3664S за ціною від 38.22 грн до 113.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+77.30 грн
500+69.57 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+77.30 грн
500+69.57 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.61 грн
6+77.56 грн
10+71.23 грн
18+54.61 грн
47+51.45 грн
250+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : onsemi fdms3664s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.10 грн
10+73.13 грн
100+59.27 грн
500+47.07 грн
1000+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3664S-D.PDF MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.37 грн
10+79.69 грн
100+55.69 грн
500+47.11 грн
1000+41.18 грн
3000+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.53 грн
5+96.66 грн
10+85.48 грн
18+65.53 грн
47+61.73 грн
250+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.