FDMS3664S

FDMS3664S onsemi


fdms3664s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.81 грн
6000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3664S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A.

Інші пропозиції FDMS3664S за ціною від 35.37 грн до 118.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.16 грн
10+70.26 грн
25+62.64 грн
100+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : onsemi fdms3664s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Active
на замовлення 146472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.31 грн
10+70.40 грн
100+57.05 грн
500+45.31 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3664S-D.PDF MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.46 грн
10+73.76 грн
100+51.55 грн
500+43.60 грн
1000+38.12 грн
3000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : onsemi fdms3664s-d.pdf MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.15 грн
10+92.20 грн
100+54.99 грн
500+43.81 грн
1000+38.12 грн
3000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.