Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDMS3668S
FDMS3668S

FDMS3668S Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 243995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3668S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

Інші пропозиції FDMS3668S за ціною від 102.32 грн до 164.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3668S FDMS3668S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3668S_D-2312800.pdf MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.24 грн
10+146.04 грн
25+119.73 грн
100+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3668S FDMS3668S Виробник : onsemi fdms3668s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.