Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3669S
FDMS3669S

FDMS3669S ON Semiconductor

fdms3669s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3669S ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6).

Інші пропозиції FDMS3669S за ціною від 53.01 грн до 181.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.15 грн
6000+54.09 грн
9000+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.35 грн
500+91.21 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.35 грн
500+91.21 грн
1000+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi / Fairchild fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 46778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.99 грн
10+115.63 грн
100+71.85 грн
500+58.71 грн
1000+57.02 грн
3000+53.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi fdms3669s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.01 грн
10+109.40 грн
100+74.63 грн
500+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585221-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor 88468013108100fdms3669s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S Виробник : ONSEMI fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi fdms3669s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S Виробник : ONSEMI fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.2/2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24/34nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20/±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.