Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3669S
FDMS3669S

FDMS3669S ON Semiconductor

fdms3669s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3669S ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6).

Інші пропозиції FDMS3669S за ціною від 35.53 грн до 207.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.59 грн
6000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.89 грн
6000+64.83 грн
9000+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+78.99 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+105.35 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+105.35 грн
500+94.82 грн
1000+87.44 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+105.35 грн
500+94.82 грн
1000+87.44 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi fdms3669s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.96 грн
10+119.04 грн
100+81.20 грн
500+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3669S-D.PDF MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 45691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.76 грн
10+128.57 грн
100+76.90 грн
500+63.01 грн
1000+57.34 грн
3000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi FDMS3669S-D.PDF MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 45691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.76 грн
10+128.57 грн
100+76.90 грн
500+63.01 грн
1000+57.34 грн
3000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585221-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi fdms3669s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor 88468013108100fdms3669s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.