Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3669S
FDMS3669S

FDMS3669S ON Semiconductor

fdms3669s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3669S ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

Інші пропозиції FDMS3669S за ціною від 47.55 грн до 127.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+51.92 грн
6000+ 51.87 грн
9000+ 50.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+55.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585221-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
423+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 423
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi fdms3669s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.26 грн
10+ 92.33 грн
100+ 73.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3669S_D-2312495.pdf MOSFET 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 25785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.42 грн
10+ 104.15 грн
100+ 72.59 грн
250+ 66.59 грн
500+ 60.33 грн
1000+ 51.74 грн
3000+ 47.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor 88468013108100fdms3669s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
товар відсутній
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin Power 56 EP T/R
товар відсутній
FDMS3669S Виробник : ONSEMI fdms3669s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS3669S FDMS3669S Виробник : onsemi fdms3669s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товар відсутній
FDMS3669S Виробник : ONSEMI fdms3669s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 24/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 24/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 14.5/7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній