Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3669S
FDMS3669S

FDMS3669S ON Semiconductor

fdms3669s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3669S ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6).

Інші пропозиції FDMS3669S за ціною від 45.49 грн до 191.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS3669S FDMS3669S ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+118.12 грн
500+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+118.12 грн
500+106.31 грн
1000+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S ON Semiconductor fdms3669s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+118.12 грн
500+106.31 грн
1000+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S onsemi fdms3669s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+107.02 грн
100+73.01 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S onsemi / Fairchild FDMS3669S-D.PDF MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 45691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+111.14 грн
100+66.48 грн
500+54.47 грн
1000+49.57 грн
3000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S onsemi fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 42680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.68 грн
10+122.26 грн
100+73.18 грн
500+58.33 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
FDMS3669S
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
289+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+118.12 грн
500+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+118.12 грн
500+106.31 грн
1000+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A/18A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
300+118.12 грн
500+106.31 грн
1000+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf
FDMS3669S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 18A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+177.07 грн
10+107.02 грн
100+73.01 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S-D.PDF
FDMS3669S
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 45691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.60 грн
10+111.14 грн
100+66.48 грн
500+54.47 грн
1000+49.57 грн
3000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S fdms3669s-d.pdf ONSM-S-A0003585221-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
FDMS3669S
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
на замовлення 42680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.68 грн
10+122.26 грн
100+73.18 грн
500+58.33 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.