FDMS3672 ON Semiconductor


fdms3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+72.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3672 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS3672 за ціною від 80.05 грн до 254.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS3672 FDMS3672 onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+208.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+160.79 грн
100+112.58 грн
500+86.28 грн
1000+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 FDMS3672 onsemi fdms3672-d.pdf MOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+117.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+122.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+122.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 13375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
10000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+146.48 грн
500+138.21 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+208.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.74 грн
10+160.79 грн
100+112.58 грн
500+86.28 грн
1000+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3672 fdms3672-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.