 
FDMS4435BZ ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 21.92 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS4435BZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції FDMS4435BZ за ціною від 18.10 грн до 138.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 9000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : Fairchild Semiconductor |  Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2770 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ONSEMI |    Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2347 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 11138 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1830 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ONSEMI |    Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2347 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V | на замовлення 17626 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS4435BZ | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності |