Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS4435BZ
FDMS4435BZ

FDMS4435BZ ON Semiconductor

fdms4435bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
565+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 565
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4435BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS4435BZ за ціною від 18.05 грн до 138.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.52 грн
6000+37.84 грн
9000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : onsemi FDMS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.63 грн
6000+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor 3667542297313389fdms4435bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : Fairchild Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+67.26 грн
504+60.53 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.79 грн
12+58.50 грн
100+41.37 грн
437+38.87 грн
500+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMS4435BZ-D.PDF MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.73 грн
10+57.28 грн
100+32.98 грн
500+28.33 грн
3000+26.66 грн
6000+21.63 грн
9000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.02 грн
10+57.12 грн
19+49.98 грн
52+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ONSEMI 2304887.pdf Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.24 грн
14+62.29 грн
100+41.18 грн
500+34.83 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.43 грн
10+71.18 грн
19+59.98 грн
52+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : onsemi FDMS4435BZ-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 17626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.41 грн
10+88.38 грн
100+59.56 грн
500+44.29 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Виробник : ON Semiconductor fdms4435bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.