FDMS4D0N12C ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 162.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS4D0N12C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS4D0N12C за ціною від 145.97 грн до 379.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS4D0N12C | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS4D0N12C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS4D0N12C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS4D0N12C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS4D0N12C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 5306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS4D0N12C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS4D0N12C | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 120V N-FET 118A |
на замовлення 8158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS4D0N12C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS4D0N12C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V |
на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS4D0N12C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDMS4D0N12C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDMS4D0N12C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 114A Pulsed drain current: 628A Power dissipation: 106W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |