Продукція > ONSEMI > FDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C ONSEMI

2619968.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+269.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4D0N12C ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMS4D0N12C за ціною від 135.33 грн до 505.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi FDMS4D0N12C-D.PDF MOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.09 грн
10+233.44 грн
100+167.04 грн
500+154.36 грн
3000+135.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi fdms4d0n12c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.54 грн
10+234.49 грн
100+167.78 грн
500+151.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.71 грн
10+330.56 грн
100+243.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C-D.PDF
FDMS4D0N12C
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+291.09 грн
10+233.44 грн
100+167.04 грн
500+154.36 грн
3000+135.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+365.54 грн
10+234.49 грн
100+167.78 грн
500+151.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C 2619968.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+505.71 грн
10+330.56 грн
100+243.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.