Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C ON Semiconductor

fdms4d0n12c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4D0N12C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 106W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.

Інші пропозиції FDMS4D0N12C за ціною від 147.08 грн до 354.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.65 грн
10+196.31 грн
25+194.34 грн
100+186.32 грн
250+171.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+204.65 грн
72+196.31 грн
73+194.34 грн
100+186.32 грн
250+171.60 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+234.15 грн
500+221.27 грн
1000+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+234.15 грн
500+221.27 грн
1000+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi fdms4d0n12c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.85 грн
10+227.63 грн
100+162.88 грн
500+147.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C onsemi FDMS4D0N12C-D.PDF MOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+204.65 грн
10+196.31 грн
25+194.34 грн
100+186.32 грн
250+171.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+204.65 грн
72+196.31 грн
73+194.34 грн
100+186.32 грн
250+171.60 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+234.15 грн
500+221.27 грн
1000+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+234.15 грн
500+221.27 грн
1000+209.56 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C fdms4d0n12c-d.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.85 грн
10+227.63 грн
100+162.88 грн
500+147.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C 2619968.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C-D.PDF
FDMS4D0N12C
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C 2619968.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.