FDMS4D4N08C onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.06 грн |
| 10+ | 166.33 грн |
| 50+ | 128.56 грн |
| 100+ | 109.24 грн |
| 500+ | 89.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS4D4N08C onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS4D4N08C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS4D4N08C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FDMS4D4N08C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 924 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS4D4N08C |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
MOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS4D4N08C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)