Продукція > ONSEMI > FDMS4D4N08C
FDMS4D4N08C

FDMS4D4N08C onsemi

fdms4d4n08c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.39 грн
10+142.55 грн
100+99.19 грн
500+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4D4N08C onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS4D4N08C за ціною від 74.58 грн до 232.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS4D4N08C FDMS4D4N08C Виробник : onsemi / Fairchild FDMS4D4N08C-D.PDF MOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.56 грн
10+151.49 грн
100+92.00 грн
500+79.46 грн
3000+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08C Виробник : ONN fdms4d4n08c-d.pdf
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08C FDMS4D4N08C Виробник : onsemi fdms4d4n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.