Продукція > ONSEMI > FDMS4D4N08C
FDMS4D4N08C

FDMS4D4N08C onsemi

fdms4d4n08c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.56 грн
10+148.06 грн
100+103.03 грн
500+78.60 грн
1000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4D4N08C onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS4D4N08C за ціною від 77.98 грн до 263.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS4D4N08C FDMS4D4N08C Виробник : onsemi / Fairchild fdms4d4n08c-d.pdf MOSFETs PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.50 грн
10+170.05 грн
100+104.47 грн
250+103.73 грн
500+84.60 грн
1000+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08C FDMS4D4N08C Виробник : ONSEMI ROCELEC_FDMS4D4N08C-D.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08C FDMS4D4N08C Виробник : ON Semiconductor fdms4d4n08c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08C Виробник : ONSEMI fdms4d4n08c-d.pdf FDMS4D4N08C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D4N08C FDMS4D4N08C Виробник : onsemi fdms4d4n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.