Продукція > ONSEMI > FDMS4D5N08LC
FDMS4D5N08LC

FDMS4D5N08LC ONSEMI

2850021.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.29 грн
500+90.43 грн
1000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4D5N08LC ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: POWERTRENCH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS4D5N08LC за ціною від 81.35 грн до 229.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : ONSEMI 2850021.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.18 грн
10+130.39 грн
100+107.29 грн
500+90.43 грн
1000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : onsemi fdms4d5n08lc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.24 грн
10+128.97 грн
100+102.84 грн
500+88.07 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : onsemi FDMS4D5N08LC_D-2312759.pdf MOSFETs 80V 116A 4.2mOhm
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.16 грн
10+155.67 грн
100+97.85 грн
500+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : onsemi fdms4d5n08lc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.