Продукція > ONSEMI > FDMS4D5N08LC
FDMS4D5N08LC

FDMS4D5N08LC ONSEMI

2850021.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.80 грн
500+107.93 грн
1000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4D5N08LC ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: POWERTRENCH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS4D5N08LC за ціною від 79.23 грн до 148.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : onsemi fdms4d5n08lc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.68 грн
10+105.39 грн
100+98.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : onsemi fdms4d5n08lc-d.pdf MOSFETs 80V 116A 4.2mOhm
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.10 грн
10+112.15 грн
100+92.95 грн
1000+85.33 грн
3000+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : ONSEMI 2850021.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0042 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.71 грн
10+124.78 грн
100+118.80 грн
500+107.93 грн
1000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : ON Semiconductor fdms4d5n08lc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D5N08LC FDMS4D5N08LC Виробник : onsemi fdms4d5n08lc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.