FDMS5352 ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 114.44 грн |
6000+ | 110.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS5352 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDMS5352 за ціною від 86.17 грн до 198.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS5352 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMS5352 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMS5352 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMS5352 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDMS5352 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMS5352 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.6A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMS5352 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V |
товар відсутній |