Продукція > ONSEMI > FDMS5352
FDMS5352

FDMS5352 onsemi

fdms5352-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS5352 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS5352 за ціною від 81.55 грн до 206.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS5352 FDMS5352 Виробник : onsemi / Fairchild fdms5352-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 8230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.05 грн
10+121.03 грн
100+95.49 грн
500+91.30 грн
1000+85.73 грн
3000+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352 Виробник : onsemi fdms5352-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.08 грн
10+132.25 грн
100+93.39 грн
500+90.61 грн
1000+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352 Виробник : onsemi fdms5352-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.22 грн
10+149.20 грн
100+113.67 грн
500+93.00 грн
1000+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5352 FDMS5352 Виробник : ONSEMI FDMS5352.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 131nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.