Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDMS5361L-F085
FDMS5361L-F085

FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDMS5361L-F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS5361L_F085 FDMS5361L_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMS5361L_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 28859000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085 FDMS5361L_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMS5361L_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085 FDMS5361L-F085 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS5361L_F085-1122906.pdf MOSFET NMOS PWR56 60V 15 MOHM
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085 FDMS5361L-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS5361L-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L_F085 FDMS5361L_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDMS5361L_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5361L-F085 FDMS5361L-F085 Виробник : onsemi FDMS5361L-F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.