Технічний опис FDMS5362L_F085 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMS5362L_F085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS5362L_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56 |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
FDMS5362L_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMS5362L-F085 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| FDMS5362LF085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
 |
FDMS5362L-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |