Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDMS5362L_F085

FDMS5362L_F085 Fairchild Semiconductor

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56

на замовлення 3317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMS5362L_F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDMS5362L_F085

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDMS5362L_F085	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56	на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMS5362L_F085	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMS5362L-F085	Виробник : ON Semiconductor / Fairchild	MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET	на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMS5362L-F085	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 17.6A Automotive 8-Pin Power 56 EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMS5362LF085	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41.7W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMS5362L-F085	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.