FDMS5672 onsemi


fdms5672-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS5672 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS5672 за ціною від 126.40 грн до 396.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS5672 FDMS5672 ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+195.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+217.76 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 onsemi / Fairchild fdms5672-d.pdf MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+287.03 грн
10+208.52 грн
100+137.68 грн
500+126.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.78 грн
10+204.02 грн
100+144.89 грн
500+127.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 onsemi fdms5672-d.pdf MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+396.74 грн
10+203.33 грн
100+160.25 грн
500+141.44 грн
1000+131.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+195.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+217.76 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+219.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.03 грн
10+208.52 грн
100+137.68 грн
500+126.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.78 грн
10+204.02 грн
100+144.89 грн
500+127.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.74 грн
10+203.33 грн
100+160.25 грн
500+141.44 грн
1000+131.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.