FDMS5672 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 162.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS5672 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDMS5672 за ціною від 118.15 грн до 280.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS5672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V |
на замовлення 5478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS5672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMS5672 | Виробник : ONSEMI |
FDMS5672 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |