Продукція > ONSEMI > FDMS5672
FDMS5672

FDMS5672 onsemi

fdms5672-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+114.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS5672 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS5672 за ціною від 118.15 грн до 318.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS5672 FDMS5672 ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.06 грн
10+217.98 грн
25+174.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+266.06 грн
65+217.98 грн
81+174.52 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 onsemi / Fairchild fdms5672-d.pdf MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.29 грн
10+194.91 грн
100+128.70 грн
500+118.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 FDMS5672 onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.84 грн
10+203.42 грн
100+144.46 грн
500+126.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672jp-d.pdf
FDMS5672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+266.06 грн
10+217.98 грн
25+174.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672jp-d.pdf
FDMS5672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
54+266.06 грн
65+217.98 грн
81+174.52 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
FDMS5672
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.29 грн
10+194.91 грн
100+128.70 грн
500+118.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS5672 fdms5672-d.pdf
FDMS5672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+318.84 грн
10+203.42 грн
100+144.46 грн
500+126.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.