FDMS5672 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 113.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS5672 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDMS5672 за ціною від 117.14 грн до 316.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDMS5672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS5672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FDMS5672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Power dissipation: 78W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
товару немає в наявності |