FDMS6673BZ ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 46.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS6673BZ ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS6673BZ за ціною від 39.53 грн до 178.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS6673BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS6673BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench |
на замовлення 9367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V |
на замовлення 58344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |