FDMS6673BZ ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 40.10 грн |
| 25+ | 39.71 грн |
| 100+ | 37.31 грн |
| 250+ | 34.36 грн |
| 500+ | 31.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS6673BZ ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS6673BZ за ціною від 32.82 грн до 159.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS6673BZ | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS6673BZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS6673BZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench |
на замовлення 9367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS6673BZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V |
на замовлення 58344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMS6673BZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 353+ | 40.10 грн |
| 357+ | 39.71 грн |
| 366+ | 38.69 грн |
| 368+ | 37.11 грн |
| 500+ | 32.82 грн |
| FDMS6673BZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 57.86 грн |
| FDMS6673BZ |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.04 грн |
| 10+ | 74.22 грн |
| 100+ | 51.04 грн |
| 500+ | 40.23 грн |
| 1000+ | 37.95 грн |
| 3000+ | 36.16 грн |
| 24000+ | 33.96 грн |
| FDMS6673BZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 99+ | 143.09 грн |
| 250+ | 115.36 грн |
| 500+ | 91.73 грн |
| 1000+ | 80.66 грн |
| FDMS6673BZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.63 грн |
| 10+ | 104.54 грн |
| 100+ | 74.81 грн |
| 500+ | 57.85 грн |
| 1000+ | 53.82 грн |