Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS6673BZ
FDMS6673BZ

FDMS6673BZ ON Semiconductor

fdms6673bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS6673BZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS6673BZ за ціною від 37.48 грн до 169.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+49.35 грн
257+48.57 грн
261+47.80 грн
266+45.35 грн
500+41.30 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.87 грн
25+52.04 грн
100+49.39 грн
250+44.99 грн
500+42.48 грн
1000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
414+75.28 грн
500+67.75 грн
1000+62.49 грн
Мінімальне замовлення: 414
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+96.99 грн
1000+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMS6673BZ-D.pdf MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.21 грн
10+81.92 грн
100+56.34 грн
500+44.40 грн
1000+41.89 грн
3000+39.91 грн
24000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.42 грн
10+110.95 грн
100+79.40 грн
500+61.40 грн
1000+57.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ Виробник : ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.