Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS6673BZ
FDMS6673BZ

FDMS6673BZ ON Semiconductor

fdms6673bz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS6673BZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS6673BZ за ціною від 47.24 грн до 161.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+79.48 грн
10+72.22 грн
25+71.50 грн
100+62.16 грн
250+56.51 грн
500+51.94 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.39 грн
171+71.24 грн
194+62.89 грн
204+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+85.59 грн
157+77.78 грн
159+77.00 грн
176+66.94 грн
250+60.86 грн
500+55.94 грн
1000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+99.47 грн
1000+91.88 грн
3000+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+114.62 грн
500+103.46 грн
1000+95.53 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : onsemi / Fairchild fdms6673bz-d.pdf MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 19720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.30 грн
10+104.31 грн
100+73.29 грн
250+71.04 грн
500+55.37 грн
1000+53.92 грн
3000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.70 грн
10+105.90 грн
100+75.79 грн
500+58.60 грн
1000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ Виробник : ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ Виробник : ONSEMI fdms6673bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -52A; Idm: -422A; 73W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -52A
Pulsed drain current: -422A
Power dissipation: 73W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.