Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS6673BZ
FDMS6673BZ

FDMS6673BZ ON Semiconductor

fdms6673bz-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+40.01 грн
25+39.62 грн
100+37.22 грн
250+34.12 грн
500+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS6673BZ ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS6673BZ за ціною від 32.75 грн до 161.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS6673BZ FDMS6673BZ ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+40.01 грн
357+39.62 грн
366+38.60 грн
370+36.85 грн
500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+85.23 грн
500+76.70 грн
1000+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.01 грн
250+86.22 грн
500+84.56 грн
1000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.73 грн
10+102.81 грн
100+83.13 грн
500+69.03 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ ON Semiconductor fdms6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.73 грн
138+102.81 грн
170+83.13 грн
500+69.03 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.11 грн
10+105.51 грн
100+75.51 грн
500+58.39 грн
1000+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi / Fairchild FDMS6673BZ-D.pdf MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
353+40.01 грн
357+39.62 грн
366+38.60 грн
370+36.85 грн
500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
414+85.23 грн
500+76.70 грн
1000+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+114.01 грн
250+86.22 грн
500+84.56 грн
1000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+128.73 грн
10+102.81 грн
100+83.13 грн
500+69.03 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.73 грн
138+102.81 грн
170+83.13 грн
500+69.03 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.11 грн
10+105.51 грн
100+75.51 грн
500+58.39 грн
1000+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ-D.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V 28A P-Channel PowerTrench
на замовлення 9367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.