Продукція > ONSEMI > FDMS6681Z
FDMS6681Z

FDMS6681Z ONSEMI

ONSM-S-A0013670076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0032 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 44673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+89.23 грн
1000+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS6681Z ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0032 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції FDMS6681Z за ціною від 72.51 грн до 174.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS6681Z FDMS6681Z Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013670076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0032 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 42408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.94 грн
10+145.37 грн
100+114.98 грн
500+89.23 грн
1000+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z FDMS6681Z Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS6681Z_D-1807738.pdf MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 11122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z FDMS6681Z Виробник : onsemi fdms6681z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z FDMS6681Z Виробник : onsemi fdms6681z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.