Продукція > ONSEMI > FDMS7602S
FDMS7602S

FDMS7602S onsemi

fdms7602s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.95 грн
6000+43.98 грн
9000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS7602S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

Інші пропозиції FDMS7602S за ціною від 38.49 грн до 134.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS7602S FDMS7602S Виробник : onsemi fdms7602s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.65 грн
10+91.32 грн
100+71.04 грн
500+56.51 грн
1000+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602S FDMS7602S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS7602S-D.pdf MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.53 грн
10+100.12 грн
100+56.97 грн
500+47.73 грн
1000+44.52 грн
3000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602S FDMS7602S Виробник : ON Semiconductor fdms7602s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602S FDMS7602S Виробник : ON Semiconductor fdms7602s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602S FDMS7602S Виробник : ON Semiconductor 3677942192296223fdms7602s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/17A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7602S Виробник : ONSEMI fdms7602s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28/46nC
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Power dissipation: 2.2/2.5W
Gate-source voltage: ±20/±20V
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.