Продукція > ONSEMI > FDMS7608S
FDMS7608S

FDMS7608S ONSEMI

ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7608S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS7608S ONSEMI

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56.

Інші пропозиції FDMS7608S за ціною від 29.22 грн до 87.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : onsemi fdms7608s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.01 грн
6000+33.02 грн
9000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : ON Semiconductor 3657317741043817fdms7608s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.99 грн
25+36.41 грн
100+34.55 грн
250+31.48 грн
500+29.72 грн
1000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
589+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 589
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : ON Semiconductor 3657317741043817fdms7608s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+39.83 грн
311+39.21 грн
316+38.58 грн
321+36.61 грн
500+33.34 грн
1000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : onsemi / Fairchild fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
на замовлення 9619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.54 грн
10+53.34 грн
100+40.59 грн
500+35.59 грн
1000+33.10 грн
3000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : ON Semiconductor 3657317741043817fdms7608s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
503+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : onsemi fdms7608s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 26301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+68.57 грн
100+53.35 грн
500+42.43 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : ON Semiconductor 3657317741043817fdms7608s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S FDMS7608S Виробник : ON Semiconductor 3657317741043817fdms7608s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S Виробник : ONSEMI fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7608S Виробник : ONSEMI fdms7608s-d.pdf ONSM-S-A0003585462-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.