FDMS7608S onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 35.47 грн |
| 6000+ | 32.53 грн |
| 9000+ | 31.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7608S onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMS7608S за ціною від 34.05 грн до 86.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS7608S | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS7608S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS7608S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS7608S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS7608S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS7608S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS7608S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDMS7608S | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: Power56 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A |
на замовлення 26301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS7608S | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V |
на замовлення 8590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDMS7608S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7608S - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 589+ | 37.19 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.68 грн |
| 6000+ | 42.50 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.93 грн |
| 6000+ | 42.74 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.13 грн |
| 25+ | 48.36 грн |
| 100+ | 45.89 грн |
| 250+ | 41.81 грн |
| 500+ | 39.47 грн |
| 1000+ | 38.81 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 288+ | 49.13 грн |
| 292+ | 48.36 грн |
| 297+ | 47.59 грн |
| 302+ | 45.15 грн |
| 500+ | 41.12 грн |
| 1000+ | 38.81 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 557+ | 63.40 грн |
| 1000+ | 58.47 грн |
| 10000+ | 52.13 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 557+ | 63.40 грн |
| 1000+ | 58.47 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
на замовлення 26301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.03 грн |
| 10+ | 67.55 грн |
| 100+ | 52.55 грн |
| 500+ | 41.80 грн |
| 1000+ | 34.05 грн |
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
MOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS7608S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7608S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDMS7608S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





