 
FDMS7620S onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 45.44 грн | 
| 6000+ | 41.68 грн | 
| 9000+ | 39.75 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7620S onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active. 
Інші пропозиції FDMS7620S за ціною від 36.50 грн до 155.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMS7620S | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3884 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS7620S | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active | на замовлення 27000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | FDMS7620S | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 4410 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| FDMS7620S | Виробник : ON Semiconductor |   | на замовлення 2960 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
|   | FDMS7620S | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||
| FDMS7620S | Виробник : ONSEMI |  Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/30V Drain current: 13/22A Power dissipation: 2.2/2.5W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20/±20V On-state resistance: 30/15.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11/23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |