 
FDMS7660AS ON Semiconductor
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 242+ | 51.25 грн | 
| 246+ | 50.46 грн | 
| 250+ | 49.67 грн | 
| 254+ | 47.14 грн | 
| 258+ | 42.94 грн | 
| 500+ | 40.54 грн | 
| 1000+ | 39.86 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7660AS ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції FDMS7660AS за ціною від 42.71 грн до 123.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMS7660AS | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1026 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1750 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 5255 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS7660AS | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET | на замовлення 1089 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS7660AS | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V | на замовлення 7172 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
| FDMS7660AS | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |