
FDMS7660AS ON Semiconductor
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
242+ | 50.52 грн |
246+ | 49.74 грн |
250+ | 48.97 грн |
254+ | 46.46 грн |
258+ | 42.33 грн |
500+ | 39.96 грн |
1000+ | 39.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7660AS ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS7660AS за ціною від 42.10 грн до 122.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6120 pF @ 15 V |
на замовлення 7172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS7660AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDMS7660AS | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
FDMS7660AS | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 83W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 83W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |