FDMS7670 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 34.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7670 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS7670 за ціною від 29.34 грн до 153.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS7670 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V |
на замовлення 145098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 15795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 31636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7670 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V |
на замовлення 4895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7670 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V 42A N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4977 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7670 | onsemi |
MOSFETs 30V 42A N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4485 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V
на замовлення 145098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 426+ | 47.73 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.33 грн |
| 6000+ | 48.12 грн |
| 9000+ | 46.70 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 657+ | 55.80 грн |
| 1000+ | 51.46 грн |
| 10000+ | 45.88 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 657+ | 55.80 грн |
| 1000+ | 51.46 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 657+ | 55.80 грн |
| 1000+ | 51.46 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 657+ | 55.80 грн |
| 1000+ | 51.46 грн |
| 10000+ | 45.88 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 657+ | 55.80 грн |
| 1000+ | 51.46 грн |
| 10000+ | 45.88 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 31636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 657+ | 55.80 грн |
| 1000+ | 51.46 грн |
| 10000+ | 45.88 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.70 грн |
| 10+ | 56.09 грн |
| 100+ | 42.53 грн |
| 500+ | 36.88 грн |
| FDMS7670 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V 42A N-Channel PowerTrench
MOSFETs 30V 42A N-Channel PowerTrench
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.80 грн |
| 10+ | 63.51 грн |
| 100+ | 41.83 грн |
| 500+ | 34.83 грн |
| 1000+ | 32.13 грн |
| 3000+ | 29.57 грн |
| 9000+ | 29.34 грн |




