FDMS7672 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 593+ | 37.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7672 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS7672 за ціною від 31.19 грн до 110.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS7672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V 28A N-Channel PowerTrench |
на замовлення 3597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FDMS7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS7672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS7672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 48W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDMS7672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 90A; 48W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 48W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |