Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS7682
FDMS7682

FDMS7682 ON Semiconductor

fdms7682-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
661+18.51 грн
664+18.43 грн
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 661
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS7682 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS7682 за ціною від 16.22 грн до 34.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : onsemi fdms7682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : ON Semiconductor fdms7682-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
576+21.26 грн
605+20.23 грн
608+20.13 грн
611+19.32 грн
1000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 576
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : ON Semiconductor fdms7682-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
532+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 532
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : ON Semiconductor fdms7682-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.67 грн
31+22.77 грн
100+20.90 грн
250+19.26 грн
500+18.40 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : onsemi / Fairchild fdms7682-d.pdf MOSFETs 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 132730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.29 грн
14+25.34 грн
100+19.54 грн
500+18.94 грн
1000+18.79 грн
3000+16.53 грн
6000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : ON Semiconductor fdms7682-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1121+27.30 грн
10000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 1121
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : onsemi fdms7682-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 15 V
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.75 грн
13+25.55 грн
100+22.34 грн
500+20.92 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : ON Semiconductor fdms7682-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : ON Semiconductor fdms7682-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 FDMS7682 Виробник : ON Semiconductor 3656575197239016fdms7682.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 Виробник : ONSEMI fdms7682-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7682 Виробник : ONSEMI fdms7682-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 80A; 33W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 33W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.