Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS7694
FDMS7694

FDMS7694 ON Semiconductor

fdms7694-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+22.43 грн
100+21.28 грн
250+19.38 грн
500+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS7694 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS7694 за ціною від 20.24 грн до 36.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS7694 FDMS7694 Виробник : ON Semiconductor fdms7694-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+24.55 грн
506+24.16 грн
514+23.77 грн
522+22.54 грн
531+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 FDMS7694 Виробник : ON Semiconductor fdms7694-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1153+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 1153
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 FDMS7694 Виробник : onsemi fdms7694-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.10 грн
100+28.79 грн
500+24.28 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 FDMS7694 Виробник : onsemi / Fairchild fdms7694-d.pdf MOSFETs 30V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 208165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.46 грн
100+27.61 грн
500+23.14 грн
1000+22.10 грн
3000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 FDMS7694 Виробник : ON Semiconductor fdms7694-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 FDMS7694 Виробник : ON Semiconductor fdms7694-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 Виробник : ONSEMI fdms7694-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 FDMS7694 Виробник : onsemi fdms7694-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7694 Виробник : ONSEMI fdms7694-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.