Продукція > ONSEMI > FDMS8018
FDMS8018

FDMS8018 onsemi

fdms8018-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8018 onsemi

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS8018 за ціною від 38.58 грн до 181.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor 3675958030682275fdms8018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.81 грн
10+70.78 грн
25+70.28 грн
100+60.08 грн
250+55.08 грн
500+51.20 грн
1000+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.83 грн
500+61.83 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+85.10 грн
160+76.23 грн
161+75.68 грн
182+64.70 грн
250+59.31 грн
500+55.14 грн
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+85.72 грн
10+72.51 грн
100+60.30 грн
500+50.87 грн
1000+44.59 грн
3000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+98.14 грн
500+88.33 грн
1000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+98.14 грн
500+88.33 грн
1000+81.46 грн
10000+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8018_D-2312646.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.77 грн
10+101.81 грн
100+66.25 грн
250+66.18 грн
500+55.73 грн
1000+51.74 грн
3000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.55 грн
10+111.52 грн
100+80.83 грн
500+61.83 грн
1000+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
на замовлення 20164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.33 грн
10+112.33 грн
100+76.82 грн
500+57.84 грн
1000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 Виробник : ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor 3675958030682275fdms8018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 Виробник : ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.