Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8018

FDMS8018 ON Semiconductor

Name: FDMS8018
Brand: ON Semiconductor
SKU: 2636552-5
Price: 12788.25 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
255+	50.15 грн
259+	49.35 грн
263+	48.57 грн
267+	46.08 грн
500+	41.96 грн
1000+	39.61 грн

Мінімальне замовлення: 255

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMS8018 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS8018 за ціною від 42.44 грн до 196.72 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	53.73 грн
25+	52.88 грн
100+	50.18 грн
250+	45.72 грн
500+	43.16 грн
1000+	42.44 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	57.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	60.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	65.05 грн
1000+	60.34 грн
3000+	55.44 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	67.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	70.56 грн
500+	55.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	71.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
437+	73.08 грн
500+	65.78 грн
1000+	60.66 грн
10000+	52.15 грн

Мінімальне замовлення: 437

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
437+	73.08 грн
500+	65.78 грн
1000+	60.66 грн

Мінімальне замовлення: 437

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	82.21 грн
11+	72.34 грн
100+	63.48 грн
500+	54.40 грн
1000+	49.31 грн
3000+	43.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
144+	88.98 грн

Мінімальне замовлення: 144

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	134.24 грн
10+	97.15 грн
100+	70.56 грн
500+	55.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 4728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	157.06 грн
10+	110.45 грн
100+	71.88 грн
250+	71.80 грн
500+	60.46 грн
1000+	56.13 грн
3000+	55.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V

на замовлення 20164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	196.72 грн
10+	121.86 грн
100+	83.34 грн
500+	62.75 грн
1000+	57.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDMS8018

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.