Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8018
FDMS8018

FDMS8018 ON Semiconductor

fdms8018-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
403+35.16 грн
407+34.81 грн
419+33.79 грн
423+32.26 грн
500+28.95 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8018 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

Інші пропозиції FDMS8018 за ціною від 27.37 грн до 179.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.26 грн
22+35.16 грн
25+34.81 грн
100+32.59 грн
250+29.87 грн
500+27.79 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.78 грн
500+42.46 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.24 грн
10000+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.01 грн
10+81.97 грн
100+57.78 грн
500+42.46 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 onsemi / Fairchild FDMS8018_D-2312646.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.42 грн
10+96.64 грн
100+62.89 грн
250+62.82 грн
500+52.90 грн
1000+49.11 грн
3000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.86 грн
250+134.22 грн
500+123.13 грн
1000+103.54 грн
3000+95.38 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
на замовлення 20164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.00 грн
10+110.89 грн
100+75.84 грн
500+57.10 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 ONN fdms8018-d.pdf
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+36.26 грн
22+35.16 грн
25+34.81 грн
100+32.59 грн
250+29.87 грн
500+27.79 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 2724476.pdf
FDMS8018
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.78 грн
500+42.46 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
437+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
437+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.24 грн
10000+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 2724476.pdf
FDMS8018
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+135.01 грн
10+81.97 грн
100+57.78 грн
500+42.46 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018_D-2312646.pdf
FDMS8018
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.42 грн
10+96.64 грн
100+62.89 грн
250+62.82 грн
500+52.90 грн
1000+49.11 грн
3000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
94+150.86 грн
250+134.22 грн
500+123.13 грн
1000+103.54 грн
3000+95.38 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
FDMS8018
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
на замовлення 20164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.00 грн
10+110.89 грн
100+75.84 грн
500+57.10 грн
1000+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 fdms8018-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.