Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8018
FDMS8018

FDMS8018 ON Semiconductor

fdms8018-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
238+51.29 грн
240+51.05 грн
260+47.00 грн
263+44.81 грн
500+40.47 грн
1000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 238
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8018 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 1500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS8018 за ціною від 40.58 грн до 190.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+58.90 грн
13+54.96 грн
25+54.70 грн
100+48.56 грн
250+44.45 грн
500+41.63 грн
1000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+62.58 грн
1000+58.18 грн
3000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor 3675958030682275fdms8018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 1500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.04 грн
500+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+78.61 грн
11+69.17 грн
100+60.70 грн
500+52.02 грн
1000+47.15 грн
3000+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+98.38 грн
500+88.54 грн
1000+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+98.38 грн
500+88.54 грн
1000+81.66 грн
10000+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 1500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.41 грн
10+97.40 грн
100+69.04 грн
500+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8018_D-2312646.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.95 грн
10+106.86 грн
100+69.54 грн
250+69.46 грн
500+58.49 грн
1000+54.31 грн
3000+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
на замовлення 20164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.32 грн
10+117.90 грн
100+80.63 грн
500+60.71 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 Виробник : ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 FDMS8018 Виробник : ON Semiconductor 3675958030682275fdms8018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8018 Виробник : ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.