Продукція > ONSEMI > FDMS8025S
FDMS8025S

FDMS8025S onsemi

fdms8025s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8025S onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS8025S за ціною від 34.05 грн до 118.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002363775-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 90979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
426+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor fdms8025s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+68.88 грн
500+61.99 грн
1000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor fdms8025s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 87979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+68.88 грн
500+61.99 грн
1000+57.17 грн
10000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor fdms8025s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+68.88 грн
500+61.99 грн
1000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor fdms8025s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+68.88 грн
500+61.99 грн
1000+57.17 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor fdms8025s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 72337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
443+68.88 грн
500+61.99 грн
1000+57.17 грн
10000+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : onsemi fdms8025s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.04 грн
10+72.28 грн
100+50.67 грн
500+40.10 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8025S-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.96 грн
10+78.30 грн
100+47.83 грн
500+40.29 грн
1000+36.56 грн
3000+34.88 грн
6000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor fdms8025s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+110.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor fdms8025s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+118.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S FDMS8025S Виробник : ON Semiconductor 3904764277429809fdms8025s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363775-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms8025s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363775-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms8025s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.