Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMS8027S
FDMS8027S

FDMS8027S onsemi / Fairchild

fdms8027s-d.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
10+55.33 грн
100+31.46 грн
500+24.28 грн
1000+22.07 грн
3000+17.56 грн
6000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8027S onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS8027S за ціною від 21.94 грн до 128.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8027S FDMS8027S Виробник : onsemi fdms8027s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.87 грн
10+97.61 грн
100+69.64 грн
500+53.34 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027S FDMS8027S Виробник : ON Semiconductor 3654801772259380fdms8027s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027S FDMS8027S Виробник : onsemi fdms8027s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8027S Виробник : ONSEMI fdms8027s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.