Продукція > ONSEMI > FDMS8050ET30
FDMS8050ET30

FDMS8050ET30 onsemi

fdms8050et30-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+136.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8050ET30 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS8050ET30 за ціною від 131.80 грн до 199.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+150.48 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+161.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+176.99 грн
71+174.19 грн
73+171.39 грн
100+162.65 грн
250+148.10 грн
500+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : onsemi fdms8050et30-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.19 грн
10+160.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8050ET30-D.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.43 грн
10+167.34 грн
100+142.47 грн
500+140.94 грн
1000+138.66 грн
3000+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+189.63 грн
10+186.63 грн
25+183.63 грн
100+174.27 грн
250+158.68 грн
500+149.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+199.63 грн
500+189.34 грн
1000+178.02 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+199.63 грн
500+189.34 грн
1000+178.02 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+199.63 грн
500+189.34 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+199.63 грн
500+189.34 грн
1000+178.02 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor 3657644091855888fdms8050et30.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin Power 56 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 FDMS8050ET30 Виробник : ON Semiconductor fdms8050et30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8050ET30 Виробник : ONSEMI fdms8050et30-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 180W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 285nC
On-state resistance: 0.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 299A
Pulsed drain current: 1914A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.