
FDMS8050ET30 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 133.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8050ET30 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS8050ET30 за ціною від 120.46 грн до 258.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V |
на замовлення 8495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDMS8050ET30 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FDMS8050ET30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 299A On-state resistance: 0.9mΩ Gate charge: 285nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1914A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
FDMS8050ET30 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 299A; Idm: 1914A; 180W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 299A On-state resistance: 0.9mΩ Gate charge: 285nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1914A |
товару немає в наявності |