Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8090
FDMS8090

FDMS8090 ON Semiconductor

fdms8090-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+245.93 грн
10+242.90 грн
25+239.96 грн
100+228.48 грн
250+208.85 грн
500+197.91 грн
1000+195.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8090 ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56.

Інші пропозиції FDMS8090 за ціною від 210.35 грн до 523.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor fdms8090-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+261.59 грн
48+258.42 грн
100+246.05 грн
250+224.92 грн
500+213.13 грн
1000+210.35 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : onsemi / Fairchild fdms8090-d.pdf MOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.53 грн
10+297.80 грн
25+257.49 грн
100+213.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor fdms8090-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+467.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : onsemi fdms8090-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.64 грн
10+342.17 грн
100+285.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor fdms8090-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor 3654522279527032fdms8090.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : ON Semiconductor 3654522279527032fdms8090.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 Виробник : ONSEMI fdms8090-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 FDMS8090 Виробник : onsemi fdms8090-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8090 Виробник : ONSEMI fdms8090-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 59W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.