на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 283.37 грн |
| 45+ | 278.90 грн |
| 100+ | 264.72 грн |
| 250+ | 241.12 грн |
| 500+ | 227.65 грн |
| 1000+ | 223.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8090 ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56.
Інші пропозиції FDMS8090 за ціною від 221.99 грн до 510.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS8090 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench |
на замовлення 3673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS8090 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin Power 56 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS8090 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMS8090 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 59W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |