Продукція > ONSEMI > FDMS8320L
FDMS8320L

FDMS8320L onsemi

fdms8320l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+141.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8320L onsemi

Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS8320L за ціною від 104.95 грн до 225.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+142.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : onsemi / Fairchild fdms8320l-d.pdf MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 3728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.13 грн
10+140.95 грн
500+121.10 грн
1000+107.88 грн
3000+104.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+150.66 грн
500+133.02 грн
1000+120.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+154.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2091+173.66 грн
Мінімальне замовлення: 2091
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+181.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.59 грн
10+153.13 грн
100+150.66 грн
500+133.02 грн
1000+120.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+189.67 грн
500+179.53 грн
1000+169.39 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : onsemi fdms8320l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.47 грн
10+162.84 грн
100+139.76 грн
500+128.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8320L Виробник : ONSEMI fdms8320l-d.pdf FDMS8320L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.