Технічний опис FDMS8320L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm.
Інші пропозиції FDMS8320L за ціною від 65.16 грн до 220.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS8320L | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS8320L | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS8320L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 4284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS8320L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 4284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS8320L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS8320L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS8320L | onsemi |
MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS8320L | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active |
на замовлення 12114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS8320L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDMS8320L | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1862 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS8320L |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 89.85 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.92 грн |
| 100+ | 112.48 грн |
| 1000+ | 92.30 грн |
| 3000+ | 91.61 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 116.52 грн |
| 500+ | 93.28 грн |
| 1000+ | 79.90 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 134.20 грн |
| 10+ | 123.76 грн |
| 100+ | 116.52 грн |
| 500+ | 93.28 грн |
| 1000+ | 79.90 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 138.35 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 230+ | 154.40 грн |
| 500+ | 139.08 грн |
| 1000+ | 128.47 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.31 грн |
| 10+ | 151.30 грн |
| 100+ | 92.99 грн |
| 500+ | 78.52 грн |
| 1000+ | 73.01 грн |
| 3000+ | 66.95 грн |
| 6000+ | 65.16 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 12114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.07 грн |
| 10+ | 158.94 грн |
| 100+ | 136.42 грн |
| 500+ | 125.03 грн |
| FDMS8320L |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS8320L |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)