Продукція > ONSEMI > FDMS8320L
FDMS8320L

FDMS8320L onsemi

fdms8320l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8320L onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDMS8320L за ціною від 124.61 грн до 324.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+136.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+139.59 грн
6000+ 136.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+174.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+199.09 грн
500+ 132.55 грн
3000+ 126.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : onsemi fdms8320l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V
на замовлення 8099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+266.53 грн
10+ 215.67 грн
100+ 174.45 грн
500+ 145.53 грн
1000+ 124.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8320L_D-2312498.pdf MOSFET 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.04 грн
10+ 238.94 грн
25+ 201.78 грн
100+ 168.48 грн
250+ 163.82 грн
500+ 149.84 грн
1000+ 128.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 800 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+324.22 грн
10+ 261.47 грн
25+ 238.31 грн
100+ 199.09 грн
500+ 132.55 грн
3000+ 126.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8320L FDMS8320L Виробник : ON Semiconductor fdms8320l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній