FDMS8320L ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 80.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8320L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS8320L за ціною від 94.58 грн до 238.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS8320L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS8320L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8320L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 248 A, 0.0011 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS8320L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 20 V |
на замовлення 12114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1862 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDMS8320L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 36A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |