Продукція > ONSEMI > FDMS8320LDC
FDMS8320LDC

FDMS8320LDC onsemi

fdms8320ldc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8320LDC onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDMS8320LDC за ціною від 88.57 грн до 211.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8320LDC FDMS8320LDC Виробник : ON Semiconductor fdms8320ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+99.49 грн
6000+ 95.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8320LDC FDMS8320LDC Виробник : ONSEMI FDMS8320LDC-D.PDF Description: ONSEMI - FDMS8320LDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 212255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
217+168.08 грн
Мінімальне замовлення: 217
FDMS8320LDC FDMS8320LDC Виробник : onsemi fdms8320ldc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.5 грн
10+ 157.26 грн
100+ 127.2 грн
500+ 106.11 грн
1000+ 90.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS8320LDC FDMS8320LDC Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8320LDC_D-2312616.pdf MOSFET 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.32 грн
10+ 175.37 грн
100+ 123.2 грн
500+ 109.88 грн
1000+ 93.9 грн
3000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS8320LDC FDMS8320LDC Виробник : ON Semiconductor fdms8320ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS8320LDC FDMS8320LDC Виробник : ON Semiconductor fdms8320ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS8320LDC FDMS8320LDC Виробник : ON Semiconductor fdms8320ldc-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS8320LDC Виробник : ONSEMI fdms8320ldc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 125W
Pulsed drain current: 300A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 192A
On-state resistance: 1.7mΩ
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDMS8320LDC Виробник : ONSEMI fdms8320ldc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 125W
Pulsed drain current: 300A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 192A
On-state resistance: 1.7mΩ
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній