FDMS8320LDC ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 84.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8320LDC ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDMS8320LDC за ціною від 75.60 грн до 308.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 27512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 74113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 117962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8320LDC - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 212255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8320LDC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V 130A Dual Cool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V |
на замовлення 4414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS8320LDC | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL DUAL COOLTM 56 POWER TPackaging: Bulk |
на замовлення 41418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS8320LDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11635 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMS8320LDC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 192A; Idm: 300A; 125W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 192A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 125W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |


