FDMS8333L onsemi / Fairchild


FDMS8333L-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 34079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.15 грн
100+27.28 грн
500+25.80 грн
1000+24.32 грн
3000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8333L onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS8333L за ціною від 26.29 грн до 146.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS8333L FDMS8333L ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.73 грн
25+39.11 грн
100+37.11 грн
250+33.81 грн
500+31.92 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+39.73 грн
362+39.11 грн
368+38.49 грн
374+36.51 грн
500+33.25 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+47.51 грн
25+42.42 грн
100+38.18 грн
500+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+51.26 грн
1000+47.28 грн
10000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L onsemi fdms8333l-d.pdf MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 26102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.48 грн
10+71.09 грн
100+41.23 грн
500+38.34 грн
1000+32.77 грн
3000+28.90 грн
6000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L onsemi fdms8333l-d.pdf Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.69 грн
10+90.41 грн
100+61.05 грн
500+45.50 грн
1000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+39.73 грн
25+39.11 грн
100+37.11 грн
250+33.81 грн
500+31.92 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
356+39.73 грн
362+39.11 грн
368+38.49 грн
374+36.51 грн
500+33.25 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+47.51 грн
25+42.42 грн
100+38.18 грн
500+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
690+51.26 грн
1000+47.28 грн
10000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 26102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.48 грн
10+71.09 грн
100+41.23 грн
500+38.34 грн
1000+32.77 грн
3000+28.90 грн
6000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L fdms8333l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.69 грн
10+90.41 грн
100+61.05 грн
500+45.50 грн
1000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.