Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8333L
FDMS8333L

FDMS8333L ON Semiconductor

fdms8333l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+40.33 грн
25+39.70 грн
100+37.67 грн
250+34.31 грн
500+32.40 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8333L ON Semiconductor

Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDMS8333L за ціною від 29.47 грн до 148.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+43.43 грн
286+42.75 грн
291+42.07 грн
295+39.91 грн
500+36.35 грн
1000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : onsemi / Fairchild fdms8333l-d.pdf MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 34697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.30 грн
10+51.60 грн
25+44.20 грн
100+41.75 грн
250+41.37 грн
500+36.17 грн
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
424+72.03 грн
500+64.83 грн
1000+59.78 грн
10000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 424
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
424+72.03 грн
500+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 424
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : onsemi fdms8333l-d.pdf Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.92 грн
10+91.78 грн
100+61.98 грн
500+46.19 грн
1000+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor 3351936549443589fdms8333l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : ON Semiconductor fdms8333l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L Виробник : ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L FDMS8333L Виробник : onsemi fdms8333l-d.pdf Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8333L Виробник : ONSEMI fdms8333l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Case: Power56
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.