Технічний опис FDMS8333L ON Semiconductor
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMS8333L за ціною від 35.23 грн до 142.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS8333L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8333L | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 76A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2982 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8333L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8333L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8333L | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8333L | onsemi |
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) |
на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS8333L | onsemi |
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET |
на замовлення 26045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMS8333L | onsemi / Fairchild |
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET |
на замовлення 34079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 35.23 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 69W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 46.12 грн |
| 25+ | 41.18 грн |
| 100+ | 37.06 грн |
| 500+ | 35.41 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 277+ | 50.79 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 424+ | 82.94 грн |
| 500+ | 74.65 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 87.22 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.40 грн |
| 10+ | 87.76 грн |
| 100+ | 59.27 грн |
| 500+ | 44.16 грн |
| 1000+ | 40.48 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 26045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
на замовлення 34079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





