FDMS8333L ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8333L ON Semiconductor
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDMS8333L за ціною від 24.36 грн до 152.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8333L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET |
на замовлення 33972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V |
на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS8333L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 76A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDMS8333L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 76A; Idm: 250A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 76A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDMS8333L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4545 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |

