FDMS8350L onsemi / Fairchild
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 316.23 грн |
10+ | 261.8 грн |
25+ | 214.97 грн |
100+ | 183.59 грн |
250+ | 173.58 грн |
500+ | 163.57 грн |
1000+ | 140.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8350L onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 290A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 710µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS8350L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDMS8350L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 113W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 710µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
FDMS8350L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
FDMS8350L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||
FDMS8350L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||
FDMS8350L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V |
товар відсутній |