Продукція > ONSEMI > FDMS8350LET40
FDMS8350LET40

FDMS8350LET40 onsemi

fdms8350let40-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+149.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8350LET40 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDMS8350LET40 за ціною від 143.48 грн до 307.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8350LET40 FDMS8350LET40 Виробник : onsemi fdms8350let40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+307.54 грн
10+ 248.27 грн
100+ 200.87 грн
500+ 167.57 грн
1000+ 143.48 грн
FDMS8350LET40 FDMS8350LET40 Виробник : ON Semiconductor fdms8350let40-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 49A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8350LET40 FDMS8350LET40 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8350LET40_D-2312860.pdf MOSFET PT8 40V/20V NchPower Trench MOSFET
товар відсутній
FDMS8350LET40 Виробник : ONSEMI fdms8350let40-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 47A; Idm: 1464A; 125W; PQFN8
Case: PQFN8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.4mΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 125W
Pulsed drain current: 1464A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 47A
Gate charge: 219nC
товар відсутній