Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8460
FDMS8460

FDMS8460 ON Semiconductor

fdms8460-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8460 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDMS8460 за ціною від 54.46 грн до 230.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+82.00 грн
166+73.82 грн
250+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+85.59 грн
10+76.45 грн
25+76.14 грн
100+66.10 грн
250+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.41 грн
500+98.09 грн
1500+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+181.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.47 грн
50+147.73 грн
100+111.41 грн
500+98.09 грн
1500+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.73 грн
10+140.85 грн
100+108.06 грн
500+85.93 грн
1000+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8460_D-1808218.pdf MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.88 грн
10+159.90 грн
100+105.20 грн
250+95.64 грн
500+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.