Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8460
FDMS8460

FDMS8460 ON Semiconductor

fdms8460-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8460 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS8460 за ціною від 66.54 грн до 221.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+73.55 грн
174+72.86 грн
176+72.13 грн
250+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+90.39 грн
10+78.81 грн
25+78.06 грн
100+74.53 грн
250+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+104.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.22 грн
500+110.06 грн
1500+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8460-D.PDF MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.81 грн
10+103.10 грн
100+88.85 грн
3000+79.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+176.89 грн
50+125.71 грн
100+121.22 грн
500+110.06 грн
1500+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+188.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.66 грн
10+153.25 грн
100+117.57 грн
500+93.49 грн
1000+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.