| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 42.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
19 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8460 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Інші пропозиції FDMS8460 за ціною від 42.19 грн до 218.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS8460 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS8460 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench |
на замовлення 5538 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS8460 | onsemi |
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench |
на замовлення 3296 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN |
на замовлення 8712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS8460 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMS8460 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 46.44 грн |
| 6000+ | 42.19 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 72.17 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 72.57 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 78.11 грн |
| 210+ | 70.04 грн |
| 250+ | 61.27 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.12 грн |
| 25+ | 78.11 грн |
| 100+ | 67.54 грн |
| 250+ | 56.73 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 173+ | 85.02 грн |
| 174+ | 84.22 грн |
| 176+ | 83.38 грн |
| 250+ | 77.53 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 94.98 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 105.89 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 106.13 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 109.71 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 133+ | 110.66 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 112.40 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 112.43 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 113.09 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 120.30 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.17 грн |
| 10+ | 96.90 грн |
| 100+ | 83.51 грн |
| 3000+ | 74.41 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 140.81 грн |
| 5+ | 108.67 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.63 грн |
| 10+ | 101.23 грн |
| 100+ | 59.81 грн |
| 500+ | 47.70 грн |
| 6000+ | 44.16 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
на замовлення 8712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.54 грн |
| 10+ | 110.57 грн |
| 50+ | 83.90 грн |
| 100+ | 70.66 грн |
| 500+ | 56.50 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 218.10 грн |
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMS8460 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






