Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8460
FDMS8460

FDMS8460 ON Semiconductor

fdms8460-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8460 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMS8460 за ціною від 40.73 грн до 207.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+73.55 грн
192+72.82 грн
218+64.06 грн
250+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+80.82 грн
174+80.06 грн
176+79.26 грн
250+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+92.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+100.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+104.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+105.18 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+106.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.90 грн
500+94.71 грн
1500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+114.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8460-D.PDF MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.66 грн
10+89.37 грн
100+77.02 грн
3000+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.13 грн
10+93.36 грн
100+55.16 грн
500+43.99 грн
6000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.97 грн
10+119.50 грн
100+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: PQFN8
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Polarisation: unipolar
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.79 грн
5+131.96 грн
10+115.25 грн
25+106.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.23 грн
50+119.80 грн
100+110.90 грн
500+94.71 грн
1500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.83 грн
10+138.15 грн
100+105.99 грн
500+84.29 грн
1000+80.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+207.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.