Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8460
FDMS8460

FDMS8460 ON Semiconductor

fdms8460-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8460 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції FDMS8460 за ціною від 40.99 грн до 201.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS8460 FDMS8460 ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.59 грн
210+67.78 грн
250+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.60 грн
25+75.59 грн
100+65.36 грн
250+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.38 грн
500+96.07 грн
1500+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 onsemi / Fairchild FDMS8460-D.PDF MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.46 грн
10+89.94 грн
100+77.51 грн
3000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.40 грн
5+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 onsemi fdms8460-d.pdf MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.08 грн
10+93.95 грн
100+55.51 грн
500+44.27 грн
6000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 ONSEMI ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.52 грн
50+133.60 грн
100+121.38 грн
500+96.07 грн
1500+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460 onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.10 грн
10+139.04 грн
100+106.67 грн
500+84.82 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+75.59 грн
210+67.78 грн
250+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+75.60 грн
25+75.59 грн
100+65.36 грн
250+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+86.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8460
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+121.38 грн
500+96.07 грн
1500+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460-D.PDF
FDMS8460
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.46 грн
10+89.94 грн
100+77.51 грн
3000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 FDMS8460.pdf
FDMS8460
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+139.40 грн
5+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+149.08 грн
10+93.95 грн
100+55.51 грн
500+44.27 грн
6000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 ONSM-S-A0014831330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8460
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+173.52 грн
50+133.60 грн
100+121.38 грн
500+96.07 грн
1500+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460 fdms8460-d.pdf
FDMS8460
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.10 грн
10+139.04 грн
100+106.67 грн
500+84.82 грн
1000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.