Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8460
FDMS8460

FDMS8460 ON Semiconductor

fdms8460-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.26 грн
10+ 70.91 грн
25+ 70.47 грн
50+ 67.82 грн
100+ 59.16 грн
250+ 47.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8460 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMS8460 за ціною від 73.95 грн до 217.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.35 грн
6000+ 78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+89.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI fdms8460-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+117.58 грн
500+ 103.62 грн
3000+ 90.51 грн
6000+ 85.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi fdms8460-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
на замовлення 22830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.04 грн
10+ 149.66 грн
100+ 119.09 грн
500+ 94.56 грн
1000+ 80.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+197.24 грн
10+ 154 грн
25+ 151.03 грн
100+ 123.07 грн
250+ 104.32 грн
500+ 95.12 грн
1000+ 73.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8460_D-2312711.pdf MOSFET 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 9786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.95 грн
10+ 155.09 грн
100+ 113.49 грн
250+ 104.82 грн
500+ 95.47 грн
1000+ 82.12 грн
3000+ 74.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+215.65 грн
70+ 167.38 грн
100+ 142.47 грн
250+ 126.87 грн
500+ 107.05 грн
1000+ 93.68 грн
Мінімальне замовлення: 55
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI fdms8460-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+217.94 грн
10+ 156.53 грн
100+ 117.58 грн
500+ 103.62 грн
3000+ 90.51 грн
6000+ 85.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ON Semiconductor fdms8460-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8460 FDMS8460 Виробник : ONSEMI FDMS8460.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній