Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8560S
FDMS8560S

FDMS8560S ON Semiconductor

fdms8560s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8560S ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V.

Інші пропозиції FDMS8560S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8560S FDMS8560S Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS8560S-1300471.pdf MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 8785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S FDMS8560S Виробник : ON Semiconductor fdms8560s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S FDMS8560S Виробник : onsemi fdms8560s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S FDMS8560S Виробник : onsemi fdms8560s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.