Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDMS8570S
FDMS8570S

FDMS8570S Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002363806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
544+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8570S Fairchild Semiconductor

Description: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V.

Інші пропозиції FDMS8570S за ціною від 40.27 грн до 40.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8570S FDMS8570S Виробник : onsemi FAIR-S-A0002363806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
544+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S FDMS8570S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S FDMS8570S Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS8570S-1119503.pdf MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S FDMS8570S Виробник : ON Semiconductor 3348659166630139fdms8570s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.