FDMS8570S

FDMS8570S Fairchild Semiconductor


FAIR-S-A0002363806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 7113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
544+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8570S Fairchild Semiconductor

Description: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDMS8570S за ціною від 39.66 грн до 39.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS8570S FDMS8570S Виробник : onsemi FAIR-S-A0002363806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
544+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 544
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S FDMS8570S Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMS8570S-1119503.pdf MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.