Продукція > ONSEMI > FDMS86101A
FDMS86101A

FDMS86101A ONSEMI

ONSM-S-A0003584413-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+129.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86101A ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86101A за ціною від 102.17 грн до 277.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+146.12 грн
500+137.89 грн
1000+130.68 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+227.37 грн
71+174.68 грн
72+173.37 грн
100+130.74 грн
250+120.03 грн
500+110.29 грн
1000+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+243.61 грн
10+187.16 грн
25+185.75 грн
100+140.08 грн
250+128.60 грн
500+118.16 грн
1000+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : onsemi fdms86101a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.59 грн
10+164.12 грн
100+120.33 грн
500+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : onsemi / Fairchild fdms86101a-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.32 грн
10+190.12 грн
100+121.14 грн
500+118.85 грн
3000+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor 3904227357998882fdms86101a.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : onsemi fdms86101a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A Виробник : ONSEMI fdms86101a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.