Продукція > ONSEMI > FDMS86101A
FDMS86101A

FDMS86101A ONSEMI

ONSM-S-A0003584413-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+136.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86101A ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86101A за ціною від 107.52 грн до 291.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+153.77 грн
500+145.11 грн
1000+137.53 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : onsemi fdms86101a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.45 грн
10+172.71 грн
100+126.64 грн
500+116.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+263.97 грн
66+197.52 грн
67+196.05 грн
100+143.85 грн
250+132.04 грн
500+116.06 грн
1000+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+282.82 грн
10+211.63 грн
25+210.05 грн
100+154.13 грн
250+141.47 грн
500+124.35 грн
1000+115.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : onsemi / Fairchild fdms86101a-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.84 грн
10+200.08 грн
100+127.48 грн
500+125.08 грн
3000+117.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor 3904227357998882fdms86101a.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : ON Semiconductor fdms86101a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101A FDMS86101A Виробник : onsemi fdms86101a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.