FDMS86101A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 136.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86101A ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMS86101A за ціною від 105.09 грн до 292.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86101A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 8807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V |
на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86101A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 13199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86101A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86101A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86101A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |