Продукція > ONSEMI > FDMS86103L
FDMS86103L

FDMS86103L onsemi

fdms86103l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86103L onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 0.0064 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMS86103L за ціною від 78.71 грн до 263.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+101.59 грн
10+100.00 грн
25+98.42 грн
100+93.44 грн
250+85.11 грн
500+80.34 грн
1000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ONSEMI 2304493.pdf Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 0.0064 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.35 грн
500+86.82 грн
1000+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+109.40 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+109.40 грн
114+107.69 грн
116+105.99 грн
117+100.63 грн
250+91.65 грн
500+86.52 грн
1000+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : onsemi / Fairchild fdms86103l-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 37575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.67 грн
10+110.39 грн
100+93.76 грн
250+92.27 грн
500+83.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ONSEMI 2304493.pdf Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 0.0064 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.71 грн
10+110.19 грн
100+104.35 грн
500+86.82 грн
1000+78.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : onsemi fdms86103l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.22 грн
10+165.57 грн
100+115.47 грн
500+88.29 грн
1000+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L Виробник : ONSEMI fdms86103l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 414A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor 3672639596710142fdms86103l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L Виробник : ONSEMI fdms86103l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 414A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 414A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.