Продукція > ONSEMI > FDMS86103L
FDMS86103L

FDMS86103L onsemi

fdms86103l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86103L onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm.

Інші пропозиції FDMS86103L за ціною від 71.22 грн до 367.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS86103L FDMS86103L onsemi / Fairchild FDMS86103L-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.20 грн
10+93.95 грн
500+78.21 грн
1000+76.11 грн
3000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L onsemi fdms86103l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.55 грн
10+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L ONSEMI 2304493.pdf Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L onsemi fdms86103l-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.61 грн
10+179.07 грн
100+113.82 грн
500+109.63 грн
1000+87.98 грн
3000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L ONSEMI 2304493.pdf Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.61 грн
10+182.48 грн
100+131.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L ON Semiconductor fdms86103ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.81 грн
10+240.40 грн
100+168.07 грн
500+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L ON Semiconductor fdms86103ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.81 грн
59+240.40 грн
100+168.07 грн
500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L-D.pdf
FDMS86103L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.20 грн
10+93.95 грн
500+78.21 грн
1000+76.11 грн
3000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L fdms86103l-d.pdf
FDMS86103L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.55 грн
10+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L 2304493.pdf
FDMS86103L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+131.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L fdms86103l-d.pdf
FDMS86103L
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+278.61 грн
10+179.07 грн
100+113.82 грн
500+109.63 грн
1000+87.98 грн
3000+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L 2304493.pdf
FDMS86103L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+278.61 грн
10+182.48 грн
100+131.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L fdms86103ld.pdf
FDMS86103L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+367.81 грн
10+240.40 грн
100+168.07 грн
500+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L fdms86103ld.pdf
FDMS86103L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+367.81 грн
59+240.40 грн
100+168.07 грн
500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L fdms86103l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.