Продукція > ONSEMI > FDMS86103L
FDMS86103L

FDMS86103L onsemi

fdms86103l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86103L onsemi

Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMS86103L за ціною від 70.77 грн до 361.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86103L-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.57 грн
10+93.36 грн
500+77.71 грн
1000+75.63 грн
3000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : onsemi fdms86103l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.91 грн
10+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ONSEMI 2304493.pdf Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.80 грн
500+93.96 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+107.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+107.67 грн
132+105.81 грн
134+103.96 грн
500+94.88 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ONSEMI 2304493.pdf Description: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.90 грн
10+106.04 грн
100+102.80 грн
500+93.96 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+124.38 грн
114+122.52 грн
119+117.88 грн
500+111.88 грн
1000+100.28 грн
2000+92.46 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+124.84 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : onsemi fdms86103l-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 31957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.23 грн
10+134.85 грн
100+85.34 грн
500+79.10 грн
1000+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.27 грн
10+236.12 грн
100+165.08 грн
500+135.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103ld.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+361.27 грн
59+236.12 грн
100+165.08 грн
500+133.61 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103L FDMS86103L Виробник : ON Semiconductor fdms86103l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.